Si3N4 AMB基板は、その低い熱抵抗と高い機械的堅牢性により、優れた熱放散とモジュール寿命の延長を可能にします。
Our Si3N4 AMB (Active Metal Brazed) substrates, including Condura®.prime and Condura®.ultra, offer superior heat dissipation and increased module lifetime. These substrates stand out due to their low thermal resistance and high mechanical robustness. Specifically designed for applications demanding high thermal conductivity and durability, our products extend this robust framework to a wide range of applications.
ヘレウスのCondura®.primeおよびCondura®.ultra基板は、最も要求の厳しい用途、特に高電力密度のパワーエレクトロニクスモジュールに最適です。これらの基板は、熱性能と信頼性の最も高い要求を満たしています。
用途:
セラミック厚さ:0.25 mm / 0.32 mm
銅厚:0.30 mm / 0.50 mm / 0.80 mm
表面仕上げ:ベアCu、Ni、NiAu、全部または一部Ag
単一ユニットまたは複数製品の同梱での納入
Discover more about our cutting-edge AMB technology and substrates and explore how the Heraeus Condura® series can enhance your applications.